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Wir setzten technische und organisatorische Sicherheitsmaßnahmen ein, um Ihre Daten gegen zufällige oder vorsätzliche Manipulationen, Verlust, Zerstörung oder gegen den Zugriff Dritter unberechtigter zu schützen.

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c. Soweit die Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten zur Erfüllung unserer rechtlichen Verpflichtungen (z.B. zur Aufbewahrung von Daten) erforderlich ist, sind wir dazu gemäß Art. 6 Abs. 1 Buchst. c DSGVO befugt.
d. Außerdem verarbeiten wir personenbezogene Daten zu Zwecken der Wahrnehmung unserer berechtigten Interessen sowie berechtigter Interessen Dritter gemäß Art. 6 Abs. 1 Buchst. f DSGVO. Die Erhaltung der Funktionsfähigkeit unserer IT-Systeme, aber auch die Vermarktung eigener und fremder Produkte und Dienstleistungen und die rechtlich gebotene Dokumentation von Geschäftskontakten sind solche berechtigten Interessen.
 
7. Löschung Ihrer personenbezogenen Daten
Ihre IP-Adresse und den Namen Ihres Internet Service Providers, die wir nur aus Sicherheitsgründen speichern, löschen wir nach sieben Tagen. Im Übrigen löschen wir Ihre personenbezogenen Daten, sobald der Zweck, zu dem wir die Daten erhoben und verarbeitet haben, entfällt. Über diesen Zeitpunkt hinaus findet eine Speicherung nur statt, wenn dies gemäß den Gesetzen, Verordnungen oder sonstigen Rechtsvorschriften der Europäischen Union oder eines Mitgliedstaates der Europäischen Union, denen wir unterliegen, erforderlich ist.
 
8. Betroffenenrechte
a. Als von der Datenverarbeitung betroffene Person haben Sie das Recht auf Auskunft (Art. 15 DSGVO), Berichtigung (Art. 16 DSGVO), Datenlöschung (Art. 17 DSGVO), Einschränkung der Verarbeitung (Art. 18 DSGVO) sowie Datenübertragbarkeit (Art. 20 DSGVO).
b. Haben Sie in die Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten durch uns eingewilligt, haben Sie das Recht, die Einwilligung jederzeit zu widerrufen. Die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten bis zu einem Widerruf wird durch den Widerruf nicht berührt. Ebenso unberührt bleibt eine weitere Verarbeitung dieser Daten aufgrund einer anderen Rechtsgrundlage, etwa zur Erfüllung rechtlicher Verpflichtungen (vgl. Abschnitt „Rechtsgrundlagen der Verarbeitung“).
c. Widerspruchsrecht
Sie haben das Recht, aus Gründen, die sich aus Ihrer besonderen Situation ergeben, jederzeit gegen die Verarbeitung Sie betreffender personenbezogener Daten, die aufgrund von Art. 6 Abs. 1 e) DSGVO (Datenverarbeitung im öffentlichen Interesse) oder Art. 6 Abs. 1 f) DSGVO (Datenverarbeitung auf der Grundlage einer Interessenabwägung) erfolgt, Widerspruch einzulegen. Legen Sie Widerspruch ein, werden wir Ihre personenbezogenen Daten nur weiter verarbeiten, soweit wir dafür zwingende berechtigte Gründe nachweisen können, die Ihre Interessen, Rechte und Freiheiten überwiegen, oder soweit die Verarbeitung der Geltendmachung, Ausübung oder Verteidigung von Rechtsansprüchen dient.
d. Wir bitten Sie, Ihre Ansprüche oder Erklärungen nach Möglichkeit an die nachstehende Kontaktadresse zu richten: contact [ a t ] thfc(dot)de
e. Sind Sie der Ansicht, die Verarbeitung Ihrer personenbezogener Daten verstoße gegen gesetzliche Vorgaben, haben Sie das Recht zur Beschwerde bei einer zuständigen Datenschutzaufsichtsbehörde (Art. 77 DSGVO).
 
9. Newsletter
Nach aktuellem Stand bieten wir keinen Newsletter für unsere Kunden an. Stand Mai 2018
 
10. COOKIES
In Cookies werden während einer Onlinesitzung Textinformationen gesammelt und in einer speziellen Datei im ASCII-Format (cookie.txt) auf der Festplatte des Benutzers abgelegt. Wohin der Cookie beim Anwender gespeichert wird, kontrolliert der WWW-Browser des Anwenders. Cookies sind Informationen, die bei dem nächsten Onlinebesuch an den Server zurückgesandt werden. Sie können jeweils nur von dem Server, der sie vorher auch abgelegt hat, gelesen werden. Die THIN FILM CONSULTING setzt Cookies nur dann ein, wenn sie für Benutzerfunktionen dringend erforderlich sind bzw. die Navigation der Websites erleichtern. Die Informationen werden keinem Dritten zur Verfügung gestellt, da Cookies nur für die o.g. Zwecke verwendet werden. Die meisten Browser sind so eingestellt, dass sie Cookies automatisch akzeptieren. Diese Funktion kann jedoch jederzeit im Browser deaktiviert werden. Sie können Ihren Browser so einstellen, dass er Sie benachrichtigt, sobald Cookies gesendet werden.
 
 
Stand Mai 2018

 

List of publications

Customer feedback on operational experience with our IONIX® sputtering sources is highly welcome and necessary for steady product improvement and new developements. In the following we present a selection of publications based on the use of our IONIX® sputtering sources:

  1. "Fabrication of Optical Multilayer Devices from Porous Silicon Coatings with Closed Porosity by Magnetron Sputtering", V. Godinho et. al.,ACS Appl. Mater. Interfaces (2015)
  2. "On the formation of the porous structure in nanostructured a-Si coatings deposited by dc magnetron sputtering at oblique angles", V. Godinho et. al., Nanotechnology 25, 355705 (2014)
  3. "A new bottom-up methodology to produce silicon layers with a closed porosity nanostructure and reduced refractive index", V. Godinho et. al., Nanotechnology 24, 275604 (2013)
  4. "Magnetron sputtered a-SiOxNy thin films: A closed porous nanostructure with controlled optical and mechanical properties", V. Godinho et. al., Microporous and Mesoporous Materials 149, 142–146 (2012)
  5. "Microstructural and Chemical Characterization of Nanostructured TiAlSiN Coatings with Nanoscale Resolution", V. Godinho et. al., Microsc. Microanal. 18, 568–581 (2012)
  6. "Microstructural characterization of hydrophobic Ti1−xAlxN coatings with moth-eye-like surface morphology", V. Godinho et. al., Journal of Alloys and Compounds 536S, S398– S406 (2012)
  7. "SiOxNy thin films with variable refraction index: Microstructural, chemical and mechanical properties", V. Godinho et. al., Applied Surface Science 256, 4548–4553 (2010)
  8. "Characterization of Ti1-xAlxN coatings with selective IR reflectivity", V. Godinho et. al., Solar Energy 84, 1397–1401 (2010)

 

 

 

IONIX® Mechanical Options

Pseudo-UHV versions

One of the biggest challenges for the coating of EUV optics is defined deposition of highly reflective multilayer coatings (e.g. Mo/Si, Mo/Be, Sc/Si). For this area of application THIN FILM CONSULTING has designed special sputtering sources with 3.5'' width and lengths of 12''/15''/24''. A key specification for this kind of magnetrons is the very low operating pressure of < 1 x 10-3 mbar, as well as the very good process stability and reproducability.

Bakeable up to 150°C

Water cooled anodes

During sputtering the anode will heat up as it is very close to the plasma and the electrical return for the plasma electrons. In some sputtering systems with radiant heaters or high temperature processes it is desirable to reduce this heating and directly cool the anode. The water cooling option of the anode is realised as a water cooling channel around the anode circumference, closed and sealed via welding- see pictures and scheme below.

Flange heatable py pressurized water

In some applications it is desirable to actively heat the sputtering source itself. THIN FILM CONSULTING developed a rectangular sputtering source with the rear flange heatable to 120°C by pressurized water according to customers specifications - see pictures and scheme below.

Magnetrons for HiPIMS

Our IONIX® sputtering sources are adaptable to a wide range of sputter coating processes and can be used in DC-, RF- and pulsed operation. In principle all of our cathodes (highvacuum as well as ultrahigh vacuum and rectangular versions) can be used with the HiPIMS process. There is business confidence from respected research institutes and reputable system integrators as well. Our customers use circular magnetrons of 75 mm and 100 mm target diameter as well as rectangular magnetrons with HiPIMS.

 

High vacuum versus ultrahigh vacuum technology

Ultrahigh vaccum conditions are needed in many modern sputtering applications as the fabrication of Magnetic Read/Write Heads, numerous Semiconductor Processes and opto-Electronic Device Processing. In such applications UHV is necessary to reduce surface contamination during thin film growth and to cope with stringent purity requirements. 

For such demanding applications in industry and for fundamental research THIN FILM CONSUTLING designed IONIX® sputtering sources for high-precision UHV sputtering. These sources are dedicated to accurate and reproducible and ultra-pure thin film deposition.

Our IONIX® UHV sputtering sources are manufactured entirely from UHV-compatible materials with low outgassing rates. They contain only metallic seals and can be baked with their magnet array up to 200°C. These feaures enables sputter deposition in an ultra pure environment eliminating unintentional oxidation or nitriding of materials. 

IONIX® high vacuum sputtering sources: IONIX® ultrahigh vacuum sputtering sources:
  • viton seals vacuum-to-atmosphere
  • no water-to-vacuum seals
  • magnets completely separated from cooling water
  • with magnets bakeable up to 60°C
  • metallic seals vacuum-to-atmosphere
  • no water-to-vacuum seals
  • magnets completely separated from cooling water
  • with magnets bakeable up to 200°C
  • UHV compatible construction materials

 

 

 

IONIX® Magnet Array Options

IONIX® magnet arrays for standard target utilization

A high degree of target utilization and extended film homogeneity are contradicting performance issues for static depositions. The standard magnet configurations are calculated for stable operation and well defined plasma confinement with almost any target material on various thicknesses. These general purpose systems yield fair film homogeneity, high rates and good target utilization between 30 - 35%.

  • Standard magnet array for general processing
  • Economic trade-off for metallic and reactive sputtering
  • Target utilization > (30 – 35) %
  • Balanced magnetic field
  • Plasma confined to the target region

IONIX® multiplor magnet arrays

We also offer more sophisticated magnet arrays for higher uniformity and higher target utilization for sputtering of metal targets.

  • Multipolar magnet arrays
  • Metallic targets Cr, Cu, Ti and Al
  • Sputtering at high power levels
  • Utilization > (40 – 50) %

 

In addition, we provide magnet arrays for reactive sputter deposition

  • Si, NbOx and ITO targets
  • Target utilization > (30 – 40) %
  • Control of cross corner effect

 

 

 

IONIX® magnet arrays for ferromagnetic target materials

Special magnet arrays are available for ferromagnetic target of Ni, Fe, Co and their alloys.

IONIX® unbalanced magnet arrays

For ion-assisted substrate treatment, unbalanced magnet arrays can be supplied. We offer special versions with movable magnets or an electromagnetic coil, if a field adjustment of ion current densities to the substrates is wanted or necessary.

Weitere Beiträge ...

  1. IONIX® Mounting Options
  2. IONIX® Dual Magnetron Solutions
  3. Other documents
  4. Distributor documents

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